2021年10月，來自耶魯大學的賽富電子（Saphlux）科技有限公司，成功開發出子像素尺寸為2微米的全彩Micro LED陣列，取得了AR顯示領域的一次重要突破。

2微米R-G-B NPQD Micro LED陣列

    10微米以下的小尺寸Micro LED存在巨量轉移難度大的問題。因此，目前大部分AR屏幕廠商皆采用LED晶圓鍵合（wafer bonding）CMOS的方式制備單色屏幕。如何實現這個尺寸下的全彩轉換成為業界的一大挑戰。

    但是，目前傳統的量子點打印或量子點光刻的色彩轉換方式由于其打印線寬寬、轉換效率低、膠層厚度大、保護性差等問題，難以滿足像素尺寸小于5微米的全彩AR顯示要求。

    據介紹，賽富電子團隊利用其獨有的NPQD技術，創造性地使用納米孔（Nanopores）氮化鎵結構作為天然的量子點載體，并通過選擇性注入QD技術獲得了量子點的晶圓級原位封裝，實現了小尺寸全彩轉換技術的突破。

NPQD?全彩轉換技術

    此外，傳統由鋁銦鎵磷(AlInGaP) 磊晶制成的紅光Micro LED受限于缺陷密度大以及取光難等問題，其光效會隨著芯片尺寸的微縮而急劇下降。

    賽富電子介紹，其NPQD?技術采用氮化鎵結合紅光量子點進行色彩轉換，規避了這一材料限制。同時，經過優化后的納米孔氮化鎵具有極強的散射效應，能夠將有效光徑提高8倍，出光面積提高40倍，在5微米的量子點厚度內實現99.99%的光轉換效率。

NPQD? vs AlInGap 效率對比

    據悉，除了全彩AR Micro LED陣列這一里程碑式的成果外，賽富電子還已量產應用于小間距屏的NPQD? R1和T1系列Micro LED芯片，并且產品已經通過數家行業頭部企業的測試、點亮屏幕，進入了交付階段。

    對此，賽富電子表示：“作為目前業界唯 一一款批量在售的量子點Micro LED芯片產品，它證明了NPQD? Micro LED芯片的優越性，并標志著這一技術已從實驗室研發成功走向商業化。”

NPQD? Micro LED小間距屏